在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，芯片封裝與測(cè)試（封測(cè)）一直是連接芯片設(shè)計(jì)與應(yīng)用的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)封裝測(cè)試工藝，如引線鍵合和基板級(jí)封裝，經(jīng)過了數(shù)十年的發(fā)展已經(jīng)非常成熟，在面對(duì)射頻模塊的特殊需求時(shí)，它通過調(diào)整內(nèi)部電路布局、降低寄生參數(shù)和增強(qiáng)熱管理來保證信號(hào)完整性。例如，銅線鍵合測(cè)試中側(cè)重于射頻組損耗的精確測(cè)量，利用探針確保接觸瞬增度低于指數(shù)要求。但隨著5G時(shí)代的高速信號(hào)和技術(shù)沖刺，傳統(tǒng)工藝逐步接觸邊界，進(jìn)而引發(fā)指數(shù)級(jí)的革新挑戰(zhàn)。